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MMBT3906LT1G

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MMBT3906LT1G外觀圖

  • 標準包裝:3,000
  • 類別:分離式半導體產品
  • 家庭:晶體管(BJT) - 單路
  • 系列:-
  • 晶體管類型:PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200mA
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):40V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大:225mW
  • 頻率 - 轉換:250MHz
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝:帶卷 (TR)
  • 其它名稱:MMBT3906LT1GOSMMBT3906LT1GOS-NDMMBT3906LT1GOSTR
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