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SI4464DY

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SI4464DY 相關資料
  • 其它信息:

    電流參數:ID=1.7ADM=8A/IS=1.2A/IAS=3A
    電壓參數:UDS=200V/UGS=±20V
    功    率:PD=1.5W
    其他參數:10V/0.195Ω,6V/0.210Ω,tn=60ns
    极    性:N

SI4464DYPDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF爲準
  • 大小:53.98KB
  • 廠家:VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4464DY 相關搜索
  • SI4464DY-T1-E3[技術參數]數據列表:SI4464DY 標準包裝:2,500 類別:分離式半導體產品 家庭:FET - 單 系列:TrenchFET®FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物SI4465ADY-T1-E3[技術參數]數據列表:SI4465ADY 標準包裝:2,500 類別:分離式半導體產品 家庭:FET - 單 系列:TrenchFET®FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物SI4465DY[技術參數]製造商:Vishay 晶體管極性:P-Channel 汲極/源極擊穿電壓:8 V 閘/源擊穿電壓:+/- 8 V 漏極連續電流:14 A
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